Wetenschappers zijn erin geslaagd een transistor te maken met ingebouwd FeRAM-geheugen

Het gebeurde zo dat gegevensverwerking en -opslag taken zijn voor totaal verschillende apparaten. En de integratie van rekencellen in geheugencellen is niet alleen een kans om de dichtheid verder te vergroten ordening van elementen op het kristal, maar creëer ook een apparaat dat in essentie op een mens lijkt hersenen.

Zo'n ontwikkeling heeft alle kansen om een ​​enorme impuls te geven aan de ontwikkeling van kunstmatige intelligentie.

Volgens Amerikaanse onderzoekers van het science center Purdue Discovery Park Birck Nanotechnology Center Purdue University, om de structuur van de poortcel (1T1C) maximaal te verdichten, is het nodig om een ​​ferro-elektrische (ferro-elektrische) geheugencel te gebruiken in combinatie met een transistor.

Voor dichtheid is het ook heel goed mogelijk om een ​​magnetoresistieve tunnelovergang direct in de contactgroep direct onder de transistor te bouwen.

Wetenschappers publiceerden de resultaten van hun experimenten in het tijdschrift

Natuur elektronica, waar ze al hun wetenschappelijk onderzoek uitvoerig beschreven, waardoor ze erin slaagden een transistor te creëren met een ingebouwde tunnelovergang van een ferro-elektrisch.

Tijdens hun werk slaagden ze erin een heel belangrijk probleem op te lossen. Ferro-elektriciteit wordt immers beschouwd als diëlektrica met een extreem brede bandafstand, die de doorgang van elektronen blokkeert. En in halfgeleiders, bijvoorbeeld in silicium, passeren elektronen ongehinderd.

Bovendien hebben ferro-elektrische verbindingen nog een eigenschap, die het op geen enkele manier mogelijk maakt om geheugencellen samen met transistors op een enkel siliciumkristal te creëren.

Namelijk: silicium is onverenigbaar met ferro-elektriciteit, aangezien het figuurlijk gesproken erdoor wordt "geëtst".

Om deze negatieve aspecten te neutraliseren, gingen wetenschappers op zoek naar een halfgeleider met ferro-elektrische eigenschappen en dat is gelukt.

Dit materiaal bleek selenide-alfa-indium te zijn. Het heeft immers een vrij kleine bandkloof en is in staat een elektronenstroom over te brengen. En aangezien dit een halfgeleidermateriaal is, zijn er simpelweg geen obstakels voor de combinatie met silicium.

Talrijke onderzoeken, laboratoriumtesten en complexe simulaties hebben dat met de nodige tijd aangetoond optimalisatie kan de gecreëerde transistor met ingebouwd geheugen aanzienlijk beter presteren dan het bestaande veldeffect transistors.

Tegelijkertijd is de dikte van de tunnelovergang nu slechts 10 nm, maar volgens de vertegenwoordigers van de wetenschappelijke groep kan deze parameter worden teruggebracht tot de dikte van slechts één atoom.

Deze superdichte lay-out brengt de hele mensheid een stap dichter bij de implementatie van een ambitieus project als kunstmatige intelligentie.

Ik zou willen benadrukken dat de meeste financiering afkomstig is van subsidies van het Pentagon, wat tot enkele gedachten leidt.

Ik vond het materiaal leuk, dan duimen omhoog en vind je leuk! Schrijf ook in de commentaren: misschien ontwikkelen Amerikaanse wetenschappers een soort Skynet-analoog?