Amerikaanse wetenschappers hebben een LED op nanoschaal gemaakt die 100 keer helderder is dan normaal

Zoals u weet, zijn standaard-LED's platte ontwerpen die op vrijwel dezelfde manier worden geproduceerd als transistors.

In het geval van transistors is er al een nieuwe technologie die verticale kanalen mogelijk maakt (FinFET) en leiden zo enorme stromen door de transistors.

Maar op de een of andere manier dacht niemand eraan om LED's op de rand te zetten en ze zo veel efficiënter te laten werken. Maar Amerikaanse wetenschappers slaagden erin te experimenteren met een led. En de resultaten zijn als volgt.

Wie kwam op het idee om de LED "op de priester" te plaatsen

Het experiment werd geleid door vertegenwoordigers van het Amerikaanse National Institute of Standards and Technology (NIST), en werd bijgewoond door een ingenieur van de Universiteit van Maryland, Rensselaer Polytechnic en IBM Research Center.

Samen werd een theoretische basis ontwikkeld en vervolgens werd een nieuwe LED-structuur belichaamd in een echt experiment.

Praktische tests van het nieuwe ontwerp hebben dus verbazingwekkende resultaten opgeleverd:

De experimentele LED toonde een enorme toename van de helderheid van de gloed, wat mogelijk werd transformeer een LED in een halfgeleiderlaser zonder gespecialiseerde apparaten (resonatoren, etc.).

Dus, in vergelijking met standaard submicron-LED's, vertoonde de nieuwe experimentele LED een helderheidstoename van 100-1000 keer.

Dit is een verbluffend resultaat, omdat de wetenschappers standaardcomponenten gebruikten om de LED te implementeren - galliumnitride, zinkoxide, titanium en goud (componenten van superheldere LED's).

Hoe de nieuwe LED is geïmplementeerd

Het enige verschil zit hem in de vorm van de leds. Tijdens talloze experimenten hebben wetenschappers een LED gemaakt van langwerpige dunne filamenten van zinkoxide, die vinnen werden genoemd.

Elk van deze structuren is slechts 5 micron breed, maar kan in lengte tot een centimeter of zelfs meer zijn (dus de kenmerken van het product worden bepaald).

Net als bij de variant met FinFET-transistors was het mogelijk om de nieuwe LED zelfs via de zijranden van stroom te voorzien.

De praktische tests verrasten de wetenschappers dus enorm, omdat de op deze manier gecreëerde verticale structuur een lichtstroom uitzond met een vermogen van 20 μW, en een klassieke LED van vergelijkbare grootte gaf slechts 22 nW uit, met andere woorden, het was 100-1000 keer minder.

Een andere unieke ontdekking was het feit dat met een toename van de sterkte van de passerende stroom, de gloed LED uit een breed spectrum werd scherp verschoven naar straling van slechts twee golven in het ultraviolet bereik.

Dat wil zeggen, met een kleine handbeweging werd de LED omgevormd tot een halfgeleiderlaser.

Deze unieke ontdekking opent de breedste perspectieven voor de productie van nieuwe elektronische apparaten van de volgende generatie.

Vond je het materiaal leuk? Steek dan je duimen omhoog en abonneer je! Dank u voor uw aandacht!